本發(fā)明公開了一種半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)高硅
鋁合金電子封裝材料的制備方法,該方法以霧化沉積?快速凝固法制備得到的高硅
鋁合金粉末為原料;將原料裝入鋁包套后進行預(yù)處理得到高硅鋁合金預(yù)制體;對得到的高硅鋁合金預(yù)制體在惰性氣體氣氛中進行半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)處理,制備得到高硅鋁合金初產(chǎn)品;對得到的高硅鋁合金初產(chǎn)品經(jīng)固溶和時效處理得到高硅鋁合金電子封裝材料;所述半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)處理的溫度為630~680℃,振蕩壓力為35±5MPa。避免了完全液相狀態(tài)下粗大的初生硅的析出。與傳統(tǒng)的
粉末冶金法制備的高硅鋁合金電子封裝材料相比,硅相的擴散與偏析可控,可有效提高致密化速率。
聲明:
“高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)