本實用新型主要涉及一種用于釹鐵硼磁體的鍍膜設(shè)備,專用鍍膜設(shè)備的基本原理為雙層輝光等離子表面冶金,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)包括真空室,真空室中部平行等距且相互絕緣的源極和陰極,源極和陰極外的隔熱柵,真空室上方的陽極,真空室下方的氬氣入口以及真空室后方的真空系統(tǒng),真空室外的測溫系統(tǒng);表面生成的金屬膜層厚度均勻且金屬靶材的利用率高,整個鍍膜過程中溫度相對偏低,對磁體的損害較小,可控性強(qiáng),無污染,對人體無損害,設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,靶材限制性小。
聲明:
“用于釹鐵硼磁體的鍍膜設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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