本實用新型屬于用物理冶金技術提純
多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備,設備由爐蓋及真空爐壁構(gòu)成真空設備,真空設備的內(nèi)腔即為真空室,真空室底部安裝有拉錠機構(gòu),拉錠機構(gòu)上安裝熔煉坩堝,熔煉坩堝外安裝有加熱裝置,真空室頂部外壁上安裝有升降電動裝置,升降電動裝置驅(qū)動連接升降拉桿上端,升降拉桿下端穿過真空爐壁連接到真空室內(nèi)的懸掛夾緊裝置之上,懸掛夾緊裝置位于熔煉坩堝上方。本實用新型設備結(jié)構(gòu)緊湊,構(gòu)思獨特,綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質(zhì)磷和金屬。提高了生產(chǎn)效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)