一種鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體
復(fù)合材料,包含如下步驟:制備SiC復(fù)合漿料,首先使用SiC微粉配制得到固含量為30?70%的SiC漿料,然后按照SiC∶Au∶Ag:Pd為(50?60)∶(0.3?0.6)∶1:(0.02?0.05)的質(zhì)量比加入金粉和銀粉和鈀粉,混合均勻,得到SiC復(fù)合漿料;流延成型,對得到的SiC復(fù)合漿料除泡混合均勻后,進行流延得到SiC復(fù)合流延膜;流延膜素?zé)?,對得到的流延膜進行素?zé)?,得到SiC復(fù)合素坯;真空燒結(jié),將SiC符合素坯在真空狀態(tài)下燒結(jié),得到鋁基碳化硅。本發(fā)明的有益效果:通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁,工藝簡單,得到的產(chǎn)品成分分布均勻,氣孔率低,半導(dǎo)體性能優(yōu)越,且通過引入金、銀和鈀粉,充分改善燒結(jié)性能,進一步降低燒結(jié)溫度,節(jié)能環(huán)保。
聲明:
“鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)