本發(fā)明屬于光電材料新能源技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種制備銅銦硒濺射靶材的工藝。通過制備或市場購買Cu2Se粉末和In2Se3粉末,混合后在行星式球磨機中球磨,而后冷壓成型,制得Cu2Se和In2Se3混合材料素坯,將此素坯置于密閉的真空燒結(jié)爐中,在H2保護氣氛中,燒結(jié),冷卻后脫模,即得到銅銦硒靶材。所制得的靶材具有均一的銅銦硒相,相對密度達到95%以上。本發(fā)明具有工藝簡便,效率高,成本低,穩(wěn)定性好等優(yōu)點,為制備銅銦硒吸收層薄膜的制備工藝提供了便捷和穩(wěn)定的保證。
聲明:
“制備銅銦硒濺射靶材的工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)