本發(fā)明公開了一種抗侵蝕鉬合金電極及其制造方法,通過固?液摻雜和多元素球磨摻雜制成,再結(jié)晶溫度高于1300℃,其微觀組織為均勻的尺寸為20~70μm的晶粒,并由如下重量百分比的組分組成:ZrO
23~5wt%、Si?0.8~1.2wt%、B?0.1~0.5wt%、GeO
20.001~3wt%、SnO
20.001~3wt%、Bi
2O
30.001~3wt%、W?0~5wt%和Al
2O
30~4wt%,余量為Mo及不可剔除的雜質(zhì)。本發(fā)明通過合理的控制氧化鋯的含量及Mo?Si?B合金的硅含量和硼含量的配比,能夠很好的保證合金具有良好的抗侵蝕能力,高的再結(jié)晶溫度和高溫性能,同時(shí)又有很好的加工性能。此外,本發(fā)明鉬合金電極中還摻入其他針對(duì)性微量元素,以提高其對(duì)于不同玻璃液的抗侵蝕性能。
聲明:
“抗侵蝕鉬合金電極及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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