本發(fā)明涉及一種用于碳化硅功率器件的無引線封裝結(jié)構(gòu)和制備方法。本封裝結(jié)構(gòu)包括一個表面有開槽和通孔的圓形氮化鋁基底、碳化硅功率器件、無引線薄膜電路、一個鍵合在氮化鋁基底上的銅熱沉和氮化鋁封裝蓋子。本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)中沒有的引線,不用擔心引線可能引起的斷路、虛接的不良情況。而且,氮化鋁材料與碳化硅的熱導率相近,器件在凹槽內(nèi)固定,不會有過多的熱應力,保證器件的可靠性。
聲明:
“用于碳化硅功率器件的無引線封裝結(jié)構(gòu)和制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)