本發(fā)明涉及一種二硅化鉬/碳化硅/碳化硼三相強(qiáng)度復(fù)合陶瓷的制備方法。該方法使用MoSi2、C及B4C元素粉模壓成型,通過調(diào)整真空度并熔滲Si進(jìn)行燒結(jié),獲得MoSi2/SiC/B4C三相強(qiáng)度復(fù)合陶瓷,所得材料孔隙率在10%或以下,強(qiáng)度大于180MPa。該方法補(bǔ)充了現(xiàn)有高溫抗氧化強(qiáng)度材料品種,和現(xiàn)有高溫陶瓷相比,獲得了更高抗氧化性能環(huán)境下使用的強(qiáng)度陶瓷品種,工藝優(yōu)化后可進(jìn)一步提高利用價(jià)值。該法工藝簡(jiǎn)單,可規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“二硅化鉬/碳化硅/碳化硼三相強(qiáng)度復(fù)合陶瓷的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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