本發(fā)明公開了一種基于激光干涉技術(shù)輔助
電化學技術(shù)制備納米柵極的方法,應用于
太陽能電池、微/納米光電子器件等領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下步驟:a)在形成的p-n結(jié)襯底片表面或半導體襯底片表面旋涂光刻膠并烘干;b)然后經(jīng)過雙光束激光干涉技術(shù)曝光;c)經(jīng)選擇性溶液除去曝光的光刻膠,并經(jīng)電化學技術(shù)沉積金屬柵極;d)最后經(jīng)選擇性溶液移除未曝光的光刻膠,并進行熱處理,獲得亞微米/納米金屬柵極。本發(fā)明實現(xiàn)的亞微米/納米柵極,具有大面積、高效、廉價、簡便、可在大氣環(huán)境下進行和可控性等優(yōu)點,便于推廣和商業(yè)化。
聲明:
“激光干涉技術(shù)輔助電化學技術(shù)制備納米柵極的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)