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      能降低污染的InSb單晶生長熱場裝置及生長方法

      932   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-18 15:02:03
      本發(fā)明涉及一種能降低污染的InSb單晶生長熱場裝置,包括單晶生長坩堝體和保溫模塊,單晶生長坩堝體包括石墨坩堝,石墨坩堝的內(nèi)側(cè)和外側(cè)均固定安裝石英坩堝層,石英坩堝層將石墨坩堝密封包裹在其內(nèi)部;保溫模塊包括石英密封罩體,石英密封罩體內(nèi)部密封設置保溫碳氈;還包括惰性氣體輸送管,惰性氣體輸送管其出口位于單晶生長坩堝體的表面開口處,使得惰性氣體輸送管內(nèi)的惰性氣體經(jīng)加熱后吹散在液面和晶體表面,降低單晶生長坩堝體內(nèi)的溫度梯度;本發(fā)明消除了污染源,提高了單晶生長環(huán)境的清潔度;特殊的氣體輸送管路能減少液面和晶體表面的溫度梯度,能生長出高質(zhì)量低位錯密度的單晶。
      聲明:
      “能降低污染的InSb單晶生長熱場裝置及生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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