本發(fā)明公開了一種雙
芯片橫向串聯(lián)型的二極管封裝結構和制造方法,包括內引線、由外引線A、外引線B以及兩個凸臺組成的引線框架,外引線A、外引線B分別與載片臺連為一體,兩個載片臺上均設有凸臺,內引線底面設有兩個凸臺,兩個載片臺上的兩個凸臺與內引線底面的兩個凸臺之間設置第一芯片與第二芯片,制造方法包括:引線框架置于燒結模具上,將第一、第二芯片貼裝于外引線的載片臺上,芯片上蓋上內引線,將裝配好的產品進行燒結,本發(fā)明提高了二極管的電壓值及TVS等器件的功率,芯片厚度變化無需修改內引線,可容芯片的厚度尺寸大,本發(fā)明為雙芯片橫向串聯(lián)二極管,作為整流器件若其中一個芯片被擊穿,另一個芯片仍可繼續(xù)工作。
聲明:
“雙芯片橫向串聯(lián)型的二極管封裝結構和制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)