本發(fā)明涉及一種釹鐵硼晶界的處理工藝,其特征是:配制多元合金相R(M)x,將富相合金熔煉均勻,將其加入到主相合金中制作釹鐵硼磁體。所述的配制多元合金相R(M)x,其R為Dy或Tb,M為Cu+Al+Ga,x為1或2,其結(jié)構(gòu)均為面心立方結(jié)構(gòu)化合物;其相變溫度為808℃~970℃的獨(dú)特化合物。本發(fā)明在不影響生產(chǎn)效率下,可顯著提高釹鐵硼性能,并且是一般工藝中達(dá)到了晶界擴(kuò)散工藝的效果,但生產(chǎn)效率(kg/h)較晶界擴(kuò)散提高近20倍,且產(chǎn)品厚度方向不再受擴(kuò)散的限制。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:(1)富相合金獨(dú)特,(2)可制備高剩磁、高矯頑力磁體,(3)生產(chǎn)效率高。
聲明:
“釹鐵硼晶界的處理工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)