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       > 硅基半導體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應用
      
		
      
	
      

	
      
		
      
			
      
				
      
					
      硅基半導體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應用
      
					
      
					     1134  
					    編輯：管理員  
						來源：中冶有色技術網(wǎng)  
						
      
							2023-03-18 15:02:22						
      
					
      
				
      
				
      
				    本發(fā)明屬于半導體電極技術領域，公開了一種硅基半導體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應用，p型硅基底表面沉積有TiO2納米結(jié)晶層，TiO2納米結(jié)晶層通過還原處理后與p型硅基底形成肖特基接觸，得到p型硅?二氧化鈦異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；其結(jié)晶性TiO2納米層上負載Pt助劑構(gòu)成硅基半導體PN結(jié)光電陰極，該光電陰極應用于光電化學池光解水制氫中。本發(fā)明的硅基半導體PN結(jié)結(jié)構(gòu)能產(chǎn)生較高的光生電壓，且具有較高的穩(wěn)定性，同時制備方法簡單易行，可控性強，可實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；本發(fā)明的硅基半導體PN結(jié)光電陰極利用n型TiO2納米結(jié)晶層成功促進了光生載流子的分離，提升了硅基光陰極的起始電位，同時也對p型硅基底起到了保護作用。				    
      
				        
      聲明：
      
				        
      
				         “硅基半導體PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法、光電陰極和應用” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
				        
      
				        
      
				        我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
				        
      
				    
      
				
      
				
				
      
					
      
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      標簽：
      
					 
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