本申請(qǐng)公開(kāi)了一種
多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝,屬于
光伏技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝包括坩堝本體和依次固定在坩堝內(nèi)底部的石英砂和第一脫膜層,所述坩堝本體內(nèi)側(cè)面涂覆第二脫膜層。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請(qǐng)的坩堝即可以防止多晶硅的氧化,又可以防止多晶硅錠的粘鍋,坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期,多晶鑄錠的良率高。
聲明:
“多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)