納米三氧化鎢生產(chǎn)用研磨粉碎設(shè)備 335     

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現(xiàn)有的納米三氧化鎢生產(chǎn)用研磨粉碎設(shè)備所采用的磨料機(jī)構(gòu)單一，因此對(duì)物料的整體研磨效果和研磨效率相對(duì)較低。為提升對(duì)物料的整體研磨效果和研磨效率，許多廠(chǎng)家開(kāi)始嘗試于輥磨機(jī)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步加裝其他碎料機(jī)構(gòu)，從而于同一套設(shè)備內(nèi)形成兩道研磨，以在不過(guò)度增加能耗的前提下提升研磨效果和研磨效率的提升。但是，由于其他碎料機(jī)構(gòu)的往往會(huì)導(dǎo)致原有的磨料機(jī)構(gòu)的運(yùn)行穩(wěn)定性受損，從而導(dǎo)致設(shè)備的使用壽命達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，很是麻煩。

具有殺菌功能的鋁合金表面處理新技術(shù) 446     

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利用鋁合金陽(yáng)極氧化工藝，運(yùn)用本研究組研發(fā)的獨(dú)特工藝,使鋁合金氧化膜的納米孔道內(nèi)充填殺菌活性物質(zhì)，其中多孔氧化膜厚度在25至35微米(um)范圍內(nèi)。生產(chǎn)過(guò)程基本同鋁合金陽(yáng)極氧化工藝，沒(méi)有使用有毒物質(zhì)，而且生產(chǎn)和使用過(guò)程沒(méi)有有毒物質(zhì)產(chǎn)生，因此生產(chǎn)工藝綠色環(huán)保?？傊?，生產(chǎn)工藝具有簡(jiǎn)單，操作方便，綠色環(huán)保，生產(chǎn)成本不高等特點(diǎn)。產(chǎn)品經(jīng)過(guò)中國(guó)科學(xué)院北京理化所、廣州市微生物研究所等第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)試，對(duì)有害菌(例如，大腸桿菌、金黃色葡萄球菌等)，抗菌率達(dá)到99.9%。

硅酸鋯生產(chǎn)用輸送裝置 973     

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本實(shí)用新型提供了一種硅酸鋯生產(chǎn)用輸送裝置，包括：輸料螺桿，安裝在干燥箱的左側(cè)，且輸料螺桿的外側(cè)設(shè)置有圓筒外殼，且輸料螺桿的上端設(shè)置有輸料斗；疏料活塞，設(shè)置在輸料斗的內(nèi)部，且疏料活塞的上端連接有氣缸；雙向刮料組件，安裝在疏料活塞的表面；緩沖箱，安裝在輸料螺桿的后側(cè)上端，且緩沖箱的底部與輸料螺桿的內(nèi)部空腔連通。本實(shí)用新型解決了硅酸鋯密度及比重較大，泥餅的黏度大，使其結(jié)成大塊，不能及時(shí)隨進(jìn)料螺旋輸送機(jī)進(jìn)入干燥機(jī)內(nèi)部，造成硅酸鋯泥餅粘附在螺旋葉片上以及料斗內(nèi)壁上，形成堵塞的問(wèn)題，本輸送裝置設(shè)置的疏料活塞、雙向刮料組件以及緩沖箱結(jié)構(gòu)，從多個(gè)環(huán)節(jié)解決了硅酸鋯物料易附著堵塞的問(wèn)題，提高的輸送效率。

可回收利用石材研磨機(jī) 1106     

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本實(shí)用新型涉及石材研磨機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種可回收利用石材研磨機(jī)，包括底板，底板的頂部分別固定安裝有矩形箱與水箱，水箱位于矩形箱的一側(cè)，矩形箱的內(nèi)底壁上固定安裝有限位座；矩形箱的兩側(cè)固定安裝有U形架，U形架的內(nèi)壁兩側(cè)滑動(dòng)連接有升降板，升降板的底部滑動(dòng)連接有框架，框架的內(nèi)底壁設(shè)置有研磨組件；矩形箱的一側(cè)設(shè)置有輸送組件；水箱的內(nèi)部滑動(dòng)連接有過(guò)濾箱，通過(guò)設(shè)置的振動(dòng)電機(jī)、連接塊、過(guò)濾箱、滑桿與彈簧，振動(dòng)電機(jī)啟動(dòng)后，過(guò)濾箱通過(guò)連接塊在滑桿上滑動(dòng)，配合彈簧實(shí)現(xiàn)過(guò)濾箱通過(guò)滑桿上下滑動(dòng)，對(duì)研磨水中的雜質(zhì)進(jìn)行分離，過(guò)濾后的研磨水流入水箱循環(huán)利用，從而便于對(duì)研磨水進(jìn)行回收利用，解決研磨水浪費(fèi)嚴(yán)重的問(wèn)題。

氮化釩制備原料用精細(xì)磨粉機(jī) 1072     

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本實(shí)用新型涉及精細(xì)磨粉機(jī)領(lǐng)域，尤其為一種氮化釩制備原料用精細(xì)磨粉機(jī)，包括，磨粉裝置、破碎裝置與篩粉裝置。本實(shí)用新型中，磨粉裝置包括外殼，外殼的內(nèi)壁上設(shè)置了磨砂層，在其內(nèi)部還安裝與頂部電機(jī)連接的輥筒，在外殼的左側(cè)還設(shè)置了與破碎裝置連接的出料斗，破碎裝置還包括殼體，殼體的左側(cè)設(shè)置有一端貫穿延伸至殼體外部的連接桿，連接桿和電機(jī)固定連接，傳動(dòng)桿上設(shè)置有滾刀架，殼體頂部的后側(cè)面板上還設(shè)置有兩塊反擊板，反擊板上均設(shè)置有反擊塊，在磨粉裝置的下方還設(shè)置了篩粉裝置，篩粉裝置上設(shè)置有篩板，在其下方還設(shè)置有振動(dòng)機(jī)，本實(shí)用新型有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中磨粉裝置容易損壞且不易更換的問(wèn)題，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)巧妙，結(jié)實(shí)耐用，安全衛(wèi)生。

用于連續(xù)制備石墨烯材料的膠體磨裝置 1115     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于連續(xù)制備石墨烯材料的膠體磨裝置，包括底框和底箱，所述底框內(nèi)腔的底部通過(guò)固定桿固定連接有第一電機(jī)，所述第一電機(jī)的輸出軸通過(guò)聯(lián)軸器固定連接有圓板，所述圓板頂部開(kāi)設(shè)有圓形凹槽，所述底箱的底部固定連接有與圓形凹槽相配合使用的圓頭柱，所述底框內(nèi)部的兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有滑槽，所述滑槽的內(nèi)部滑動(dòng)連接有滑塊，所述滑塊的一端與底箱的兩側(cè)均固定連接，本實(shí)用新型涉及石墨烯材料生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。該用于連續(xù)制備石墨烯材料的膠體磨裝置，在膠體磨裝置在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生振動(dòng)，制成的石墨烯不會(huì)對(duì)膠體磨裝置進(jìn)行堵塞，使膠體磨裝置能夠正常的運(yùn)行，大大提高了制作的效率。

從四氟化碳生產(chǎn)工業(yè)廢氣中回收提純電子級(jí)六氟乙烷的生產(chǎn)方法 825     

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本發(fā)明的一種從四氟化碳生產(chǎn)工業(yè)廢氣中回收提純電子級(jí)六氟乙烷的生產(chǎn)方法，屬于六氟乙烷生產(chǎn)領(lǐng)域；包括以下步驟：熱分解提純裝置，微氧吸附再生裝置；經(jīng)過(guò)精密過(guò)濾后，進(jìn)入分餾裝置，分餾裝置產(chǎn)生四氟化碳?xì)怏w的返回四氟化碳生產(chǎn)線(xiàn)中，以提高了四氟化碳回收率；含有少量雜質(zhì)的六氟乙烷依次經(jīng)過(guò)汽化器汽化后進(jìn)入緩沖罐；并使用隔膜式壓縮機(jī)增壓使緩沖罐中的六氟乙烷進(jìn)入帶壓運(yùn)行的吸附塔；再經(jīng)過(guò)預(yù)冷器預(yù)冷后依次通過(guò)高沸精餾塔和低沸精餾塔去除雜質(zhì)。提高了四氟化碳回收率；并達(dá)到電子級(jí)六氟乙烷的技術(shù)要求；生產(chǎn)出的電子級(jí)六氟乙烷不含有會(huì)對(duì)臭氧層造成破壞的氯元素；可減少溫室氣體排放，可實(shí)現(xiàn)工業(yè)廢氣資源化利用和節(jié)能減排。

稀土中高熵鉿酸鹽基陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用 321     

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本發(fā)明涉及控制棒材料領(lǐng)域，具體涉及一種稀土中高熵鉿酸鹽陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用，所述中高熵稀土鉿酸鹽陶瓷材料的化學(xué)式為：(REaTmbDycMd)4Hf3O12；其中，RE選自Tb、Ho、Gd中的至少一種；M選自Eu和/或Er，a＝0.2或0.25或1/3，b＝0.2或0.25或1/3，c＝0.2或0.25或1/3，d＝0.2或0。本發(fā)明的中高熵稀土鉿酸鹽陶瓷為框架制備的稀土鉿酸鹽中子吸收控制棒材料具有優(yōu)異的抗輻照性能，是一種極具前景的中子控制棒材料。

氫氟酸制備方法 232     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種氫氟酸制備方法，包括以下步驟：a、螢石精礦粉準(zhǔn)備；b、反應(yīng)工段；c、石膏渣回收：回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐產(chǎn)生的反應(yīng)石膏渣主要含反應(yīng)生成的硫酸鈣，此外還有反應(yīng)生成的氟化氫和未反應(yīng)完全的氟化鈣、硫酸，反應(yīng)石膏渣經(jīng)回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐尾端的爐內(nèi)冷卻段進(jìn)入過(guò)濾設(shè)備內(nèi)，將過(guò)濾后的石膏渣排入到排渣螺旋，然后進(jìn)入封閉冷卻滾筒自然冷卻降溫至50℃以下，由斗提機(jī)送至封閉式石膏渣庫(kù)，作為副產(chǎn)品裝車(chē)外售；反應(yīng)石膏渣中的氟化氫揮發(fā)，并由石膏渣庫(kù)頂引出，渣氣經(jīng)三級(jí)水吸塔+三級(jí)堿吸塔處理后由排氣筒排放；d、精餾階段。

四氟對(duì)苯二腈高效過(guò)濾除鹽分離裝置 680     

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本實(shí)用新型涉及化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種四氟對(duì)苯二腈高效過(guò)濾除鹽分離裝置，包括機(jī)箱，機(jī)箱內(nèi)部從上往下依次設(shè)有攪拌室、散熱室和設(shè)備室，攪拌室頂部設(shè)置有加料口，攪拌室頂部的機(jī)箱上固定設(shè)置有攪拌電機(jī)。本實(shí)用新型中，通過(guò)在攪拌室內(nèi)設(shè)置由攪拌電機(jī)驅(qū)動(dòng)的攪拌器，可對(duì)氟化后的四氟對(duì)苯二腈進(jìn)行加水溶鹽處理，設(shè)置的攪拌器加速反應(yīng)速度，設(shè)置的管式換熱器可將反應(yīng)后的溶液進(jìn)行冷卻，期間，設(shè)置的溫度傳感器可檢測(cè)管式換熱器出料管口溶液的溫度，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)，可通過(guò)調(diào)節(jié)變頻器提高換熱風(fēng)機(jī)的運(yùn)行功率，加速管式換熱器的換熱效率，保證分離效果，該設(shè)備，無(wú)需人工檢測(cè)調(diào)節(jié)設(shè)備運(yùn)行，適宜推廣使用。

高純氪氣氣體提取裝置的制作方法 448     

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.本實(shí)用新型屬于氪氣提取技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高純氪氣氣體提取裝置。背景技術(shù).高濃度甲烷會(huì)對(duì)氪氣的富集純化產(chǎn)生不利影響，二者在活性炭上的吸附-脫附行為相似，使得采用吸附-脫附法制備氪氣源的回收率和純度較低，所以有必要對(duì)氣體中的甲烷組分進(jìn)行去除。由于氪為惰性氣體，可采用氧化燃燒的方式去除氣體中的可燃成份，進(jìn)而將氪分離出來(lái)。催化燃燒是一種借助催化劑在低起燃溫度下進(jìn)行無(wú)火焰燃燒的方式，將可燃成份氧化分解為二氧化碳和水，并使用分子篩吸附催化燃燒生成的二氧化碳和水，進(jìn)而將甲烷和氪初步分離。.目前在使

高效抽漿泵的制作方法 322     

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本實(shí)用新型涉及輸送設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種高效抽漿泵。背景技術(shù)隨著社會(huì)的發(fā)展、科學(xué)的進(jìn)步，各行各業(yè)的先進(jìn)工具不斷涌現(xiàn)或更新。在實(shí)際生產(chǎn)加工過(guò)程中，常采用抽漿泵輸送液體物料?，F(xiàn)有的抽漿泵抽漿速度較慢，工作效率較低，生產(chǎn)成本較高。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種高效抽漿泵，該高效抽漿泵可實(shí)現(xiàn)活塞雙向運(yùn)動(dòng)時(shí)均能抽漿，抽漿速度快，工作效率高，可有效降低生產(chǎn)成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種高效抽漿泵，包括進(jìn)漿管、抽漿主體、出漿管和驅(qū)動(dòng)裝置，所述抽漿主體包括抽漿筒、抽漿桿和

集成電路測(cè)試分選機(jī)分類(lèi)裝置的制作方法 1092     

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.本實(shí)用新型涉及一種集成電路測(cè)試分選機(jī)分類(lèi)裝置。背景技術(shù).集成電路測(cè)試分選機(jī)能夠完成集成電路檢測(cè)、分類(lèi)和編帶工作；目前集成電路測(cè)試分選機(jī)上完成分類(lèi)的分類(lèi)裝置僅能夠?qū)⒓呻娐贩譃閮深?lèi)，即合格與不合格分類(lèi)，分類(lèi)不夠全面。同時(shí)，對(duì)集成電路進(jìn)行分類(lèi)的分類(lèi)機(jī)構(gòu)多是采用抓取的方式，工作效率較低。實(shí)用新型內(nèi)容.有鑒于此，本實(shí)用新型的目的是提供一種可以一分多路進(jìn)行分類(lèi)，工作效率高的集成電路測(cè)試分選機(jī)分類(lèi)裝置。.本實(shí)用新型采用以下方案實(shí)現(xiàn)：一種集成電路測(cè)試分選機(jī)分類(lèi)裝置，包括分料室，所述分料室頂部設(shè)置有接

二氧化硅粉體精選篩分裝置的制作方法 787     

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.本實(shí)用新型屬于篩分技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種二氧化硅粉體精選篩分裝置。背景技術(shù).二氧化硅是一種堅(jiān)硬、脆性、難溶的固體，同二氧化硅具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性，常用于膠粘劑、涂料或者塑料中的增強(qiáng)填料?，F(xiàn)有技術(shù)中二氧化硅粉體的生產(chǎn)工藝一般是通過(guò)烘干原料在馬弗爐或管式爐中焙燒活化而得到的，得到的產(chǎn)物中二氧化硅粉體的粒徑分布不均勻，直接用于增強(qiáng)填料會(huì)對(duì)增強(qiáng)材料主體的性能造成影響?，F(xiàn)有的二氧化硅粉體生產(chǎn)時(shí)都是經(jīng)過(guò)袋式集塵器之后直接進(jìn)入包裝機(jī)中進(jìn)行包裝，未經(jīng)過(guò)篩分工序，會(huì)導(dǎo)致二氧化硅粉體的粒徑分布不均勻，降低二氧

二氧化硅清洗篩分裝置的制作方法 935     

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.本實(shí)用新型涉及二氧化硅技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種二氧化硅清洗篩分裝置。背景技術(shù).二氧化硅是一種酸性氧化物，對(duì)應(yīng)水化物為硅酸，二氧化硅是硅最重要的化合物，地球上存在的天然二氧化硅約占地殼質(zhì)量的%，其存在形態(tài)有結(jié)晶形和無(wú)定形兩大類(lèi)，統(tǒng)稱(chēng)硅石。.目前，現(xiàn)有二氧化硅清洗篩分裝置在使用時(shí)，存在著一定的不足之處，因?yàn)橐话愣趸枨逑春Y分裝置以簡(jiǎn)單的方式進(jìn)行清洗，因此需要反復(fù)清洗，不能一次性清洗干凈，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效率清洗，并且篩分方式很粗糙，不能進(jìn)行細(xì)分，故而提出一種二氧化硅清洗篩分裝置來(lái)解決上述所提

新型分子篩吸附脫水裝置的制作方法 597     

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技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及醫(yī)藥及化工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型分子篩吸附脫水裝置。背景技術(shù)：精細(xì)化工生產(chǎn)過(guò)程中常用到無(wú)水溶劑，在醫(yī)藥及電子化學(xué)品行業(yè)無(wú)水溶劑使用更為頻繁。常用溶劑除水有多種方法，常用的精餾除水或者通過(guò)脫水劑進(jìn)行除水。鋰電子化學(xué)品要求原材料及產(chǎn)品含水量極低，一般要求水分<100ppm。對(duì)于這種低水分原材料或產(chǎn)品去除水分，我們常用分子篩進(jìn)行吸附脫水。分子篩粒徑較小，吸附面積大，但是分子篩易碎形成粉末。普通靜態(tài)吸附時(shí)間較久，攪拌等方式容易產(chǎn)生分子篩粉末，可能影響產(chǎn)品質(zhì)量。實(shí)用新型內(nèi)

二氧化硅生產(chǎn)用粉末篩分裝置的制作方法 625     

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.本實(shí)用新型涉及二氧化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種二氧化硅生產(chǎn)用粉末篩分裝置。背景技術(shù).二氧化硅，純的二氧化硅無(wú)色，常溫下為固體，化學(xué)式為sio，不溶于水。不溶于酸，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類(lèi)起作用。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無(wú)定形二氧化硅兩種。二氧化硅用途很廣泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、氣凝膠氈、硅鐵、型砂、單質(zhì)硅、水泥等，在古代，二氧化硅也用來(lái)制作瓷器的釉面和胎體。一般的石頭主要由二氧化硅、碳酸鈣構(gòu)成。.二氧化硅在生產(chǎn)過(guò)程中，往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)的原材料進(jìn)行篩

PETG及其廢舊PET聚酯制備PETG的方法與流程 871     

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一種petg及其廢舊pet聚酯制備petg的方法技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明涉及廢舊醇酯利用，特別涉及一種petg及其廢舊pet聚酯制備petg的方法。背景技術(shù).petg材料是一種共聚酯，主要由對(duì)苯二甲酸(pta)或?qū)Ρ蕉姿岫柞?dmt)或間苯二甲酸(ipa)或間苯二甲酸二甲酯(dmi)與，-環(huán)己烷二甲醇(chdm)、新戊二醇(npg)、乙二醇(eg)等共聚而成；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇-，環(huán)己烷二甲醇酯(petg)共聚酯中含有了環(huán)己烷單元，降低了整個(gè)分子鏈的規(guī)整性，從而形成了無(wú)定形的透明的共聚酯

氮化鋁球滾制成型方法與流程 681     

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.本發(fā)明涉及氮化鋁球的制備領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鋁球滾制成型方法。背景技術(shù).傳統(tǒng)的滾制成型方法，是先通過(guò)壓制、破碎、過(guò)篩制備出具有一定致密度的球核，將球核放入滾球機(jī)中滾動(dòng)，然后噴灑液體潤(rùn)濕球核，同時(shí)添加粉料，使?jié)櫇竦那蚝送獠筐ど霞尤氲姆哿?，逐漸滾動(dòng)致密后形成球坯。該制備方法簡(jiǎn)單，設(shè)備成本較低，能夠制備出圓度較好的球坯，但是滾制成型時(shí)需要通過(guò)精確控制滾球機(jī)的傾角、滾制時(shí)間以及粉料和霧化液體的加入量，才能控制好球坯的尺寸，且粉體之間主要依靠液體的粘接成型，坯體致密度低容易分層，燒結(jié)后的陶瓷球在研

節(jié)能環(huán)保型粉末冶金裝置的制作方法 1196     

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本實(shí)用新型涉及冶金裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種節(jié)能環(huán)保型粉末冶金裝置。背景技術(shù)冶金就是從礦物中提取金屬或金屬化合物，用各種加工方法將金屬制成具有一定性能的金屬材料的過(guò)程和工藝，冶金具有悠久的發(fā)展歷史，從石器時(shí)代到隨后的青銅器時(shí)代，再到近代鋼鐵冶煉的大規(guī)模發(fā)展，人類(lèi)發(fā)展的歷史融合了冶金的發(fā)展歷史，冶金的技術(shù)主要包括火法冶金、濕法冶金以及電冶金，隨著物理化學(xué)在冶金中成功應(yīng)用，冶金從工藝走向科學(xué)，于是有了大學(xué)里的冶金工程專(zhuān)業(yè)。冶金就是將金屬溶液中的雜質(zhì)(非意向元素)通過(guò)熔融(加熱到熔點(diǎn)之上)進(jìn)行造渣和除渣

防止熱處理變形的工裝的制作方法 740     

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.本實(shí)用新型屬于航空技術(shù)領(lǐng)域，涉及屬于航空制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種防止零件在熱處理時(shí)變形的工裝，特別涉及一種m鋼接頭在真空熱處理?xiàng)l件下，防止其在淬火加熱保溫后油冷卻過(guò)程中產(chǎn)生的形變。背景技術(shù).在航空制造領(lǐng)域，要求m鋼類(lèi)接頭要進(jìn)行的最終熱處理為淬回火，強(qiáng)度要求一般為±m(xù)pa,真空熱處理時(shí)主要工序有預(yù)熱淬火回火，其中預(yù)熱溫度為℃；淬火時(shí)間為℃，冷卻方式為～℃、油冷；回火溫度為℃，冷卻方式為空冷。由于該零件徑向尺寸大，寬度窄，壁厚薄，槽型結(jié)

鎳鈣中間合金的制備方法與流程 971     

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本發(fā)明屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鎳鈣中間合金的制備方法。背景技術(shù)金屬鈣作為一種非?；顫姷慕饘伲且环N強(qiáng)力還原劑，其主要用途包括：在熔煉金屬時(shí)中脫氧、脫硫、脫氣。鈣化學(xué)性質(zhì)活潑，在空氣中表面上能形成一層氧化物或氮化物薄膜，可減緩進(jìn)一步腐蝕?？筛趸仙裳趸}，跟氮化合生成氮化鈣ca3n2，跟氟、氯、溴、碘等化合生成相應(yīng)鹵化物，跟氫氣在400℃催化劑作用下生成氫化鈣。常溫下跟水反應(yīng)生成氫氧化鈣并放出氫氣，跟鹽酸稀硫酸等反應(yīng)生成鹽和氫氣，跟碳在高溫下反應(yīng)生成碳化鈣cac2。金屬鈣的熔點(diǎn)低（828

可溶性基材的電極涂層結(jié)構(gòu)的制作方法 576     

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.本實(shí)用新型涉及電極領(lǐng)域，尤其涉及一種可溶性基材的電極涂層結(jié)構(gòu)。背景技術(shù).電化學(xué)工業(yè)和電冶金工業(yè)都離不開(kāi)電極，電極材料的選擇極為重要?，F(xiàn)有的涂層電極大多以金屬鈦?zhàn)鳛殡姌O基層，其表面涂覆以鉑族金屬氧化物為主要祖峰的活性涂層。但現(xiàn)有技術(shù)中鈦電極表面的涂層分布不均勻，結(jié)構(gòu)疏松，涂層表面易出現(xiàn)大量裂紋，導(dǎo)致鈦電極使用時(shí)，電解液會(huì)通過(guò)裂紋腐蝕鈦基體表面，影響鈦電極的電催化性能和使用壽命。實(shí)用新型內(nèi)容.為克服上述缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種可溶性基材的電極涂層結(jié)構(gòu)，能夠有效提高鈦電極的電催化性能

自潤(rùn)滑耐磨涂層及其制備方法與流程 809     

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本發(fā)明涉及到涂層領(lǐng)域，特別是涉及到一種自潤(rùn)滑耐磨涂層及其制備方法。背景技術(shù)在航空航天、先進(jìn)汽車(chē)制造、食品和制藥等特殊工業(yè)領(lǐng)域中，很多摩擦部件需要在高真空、高溫、高載荷或高清潔等苛刻環(huán)境下運(yùn)行，這使得普通材料和傳統(tǒng)潤(rùn)滑方式(潤(rùn)滑油或潤(rùn)滑脂)難以滿(mǎn)足使用要求。因此，具有高耐磨、低摩擦且環(huán)境友好的自潤(rùn)滑耐磨涂層的發(fā)展為這些領(lǐng)域的機(jī)件磨損和潤(rùn)滑問(wèn)題提供了良好的解決方案。在眾多涂層制備技術(shù)中，高能束表面涂層技術(shù)因其涂層結(jié)合強(qiáng)度高、對(duì)基材的熱影響、工藝柔性高和綠色環(huán)保等優(yōu)勢(shì)，受到眾多關(guān)注和青睞。目前主流的高

水霧化金屬粉末的制造方法與流程 1097     

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本發(fā)明涉及使用了水霧化裝置的金屬粉末(以下，也稱(chēng)為水霧化金屬粉末)的制造方法，尤其是涉及水霧化后的金屬粉末的冷卻速度提高方法。背景技術(shù)以往，作為制造金屬粉末的方法，存在霧化法。該霧化法存在：向熔融金屬的流動(dòng)噴射高壓的噴水而得到金屬粉末的水霧化法；取代噴水而噴射惰性氣體的氣體霧化法。在水霧化法中，通過(guò)從噴嘴噴射的噴水將熔融金屬的流動(dòng)截?cái)?，形成為粉末狀的金?金屬粉末)，并且也通過(guò)噴水進(jìn)行粉末狀的金屬(金屬粉末)的冷卻而得到霧化金屬粉末。另一方面，在氣體霧化法中，通過(guò)從噴嘴噴射出的惰性氣體將熔融金屬

半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室的制作方法 1075     

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.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室。背景技術(shù).目前，在半導(dǎo)體工藝后段的鈍化層(passivationlayer)工藝中，鋁墊(alpad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測(cè)試電性連接和封裝的引線(xiàn)端，對(duì)后續(xù)的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過(guò)程中，幾乎所有的半導(dǎo)體器件在其制造過(guò)程都要使用鋁墊(alpad)用于其后道金屬互聯(lián)，作為導(dǎo)線(xiàn)傳遞各器件的電信號(hào)，通過(guò)后續(xù)封裝引線(xiàn)實(shí)現(xiàn)各器件的連接控制。.現(xiàn)有技術(shù)中采用

重金屬螯合劑制備用自控式攪拌裝置的制作方法 277     

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本實(shí)用新型涉及化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種重金屬螯合劑制備用自控式攪拌裝置。背景技術(shù)重金屬螯合劑在礦物浮選過(guò)程、濕法冶金、金屬元素的提取與分離、物質(zhì)的催化合成、水的軟化、電鍍工藝、醫(yī)藥工業(yè)、染色過(guò)程等中都有廣泛的應(yīng)用，且還廣泛應(yīng)用于過(guò)氧化氫及次氯酸類(lèi)作漂白劑的化學(xué)、機(jī)械和脫墨紙漿的漂白等。重金屬螯合劑在生產(chǎn)過(guò)程中，為提高螯合反應(yīng)的效率，通常在螯合劑反應(yīng)釜內(nèi)加攪拌裝置?，F(xiàn)有的攪拌裝置普遍存在攪拌效率低，實(shí)用性能較差，這影響了重金屬螯合劑的生產(chǎn)效率，已不能滿(mǎn)足現(xiàn)今工廠(chǎng)的使用需求，所以我們提出一種重

應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝的制作方法 657     

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本實(shí)用新型涉及一種LED蒸鍍?cè)O(shè)備鍍金工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，它涉及一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。背景技術(shù)蒸鍍是LED加工過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，即在真空腔體內(nèi)加熱有機(jī)小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過(guò)金屬光罩的開(kāi)孔沉積在基板上。在傳統(tǒng)的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點(diǎn)：1、坩堝直接與底座接觸，底座內(nèi)有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過(guò)程需要更高的能量；2、蒸鍍過(guò)程，坩堝外壁溫度低，坩堝內(nèi)的黃金在溶化過(guò)程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在

鋰鈉分離的新方法與流程 399     

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本發(fā)明涉及一種一種鋰鈉分離的新方法，具體涉及一種從含有氯化鈉溶液中吸附鋰離子的連續(xù)離子交換裝置并利用該裝置從氯化鈉溶液中吸附鋰離子的連續(xù)離子交換方法，屬于濕法冶金領(lǐng)域。背景技術(shù)在碳酸鋰生產(chǎn)技術(shù)中，不管是鹽湖提鋰技術(shù)還是礦石提鋰技術(shù)，最終都需要使用碳酸鈉進(jìn)行碳酸鋰沉淀，沉淀后的上清液含有鋰離子約2g/l,鈉離子40g/l,如果需要處理成碳酸鋰的話(huà)，還需要熱水對(duì)碳酸鋰進(jìn)行洗滌，洗滌水中的鋰離子濃度約2g/l，鈉離子5g/l。以上兩部分的損失約占碳酸鋰生產(chǎn)過(guò)程中10％到40％。因此，從以上兩部分溶液中

雙層WS2/MoS2橫向異質(zhì)結(jié)材料、制備方法及應(yīng)用與流程 441     

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本發(fā)明屬于二維材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料、制備方法及應(yīng)用。背景技術(shù)過(guò)渡金屬硫族化合物(tmds)在工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究等方面有著重要作用。mos2和ws2是兩種二維層狀半導(dǎo)體過(guò)渡金屬硫化物材料，層與層之間通過(guò)范德華力結(jié)合在一起，其帶隙可根據(jù)層數(shù)的減小由間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?，且具有良好的柔性特點(diǎn)。橫向生長(zhǎng)的ws2/mos2異質(zhì)結(jié)與單一的材料相比，在晶體管的光響應(yīng)特性、開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度以及氣敏特性上都具有顯著提高，因此通過(guò)對(duì)ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)進(jìn)行調(diào)控，