本發(fā)明公開了一種片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法,包括下述步驟:步驟一:選取N-型111面芯片進行擴散工序制得PN結芯片;步驟二:把所述PN結芯片制作成為片狀GPP芯片;步驟三:把所述片狀GPP芯片封裝制造成片狀硅粒子整流二極管。本發(fā)明所述片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法不會產(chǎn)生尖端電場區(qū)域,從而不會產(chǎn)生尖峰電場使得芯片被擊穿,從而對芯片起到了一定的保護作用,并提高了芯片的有效載流面積和耐受電流強度。
本發(fā)明涉及真空熱處理設備領域。真空脫脂燒結爐,包括爐座及固定在其上的燒結爐,還包括與燒結爐相連的充氣裝置、水冷裝置、抽真空裝置和脫脂裝置。該真空脫脂燒結爐的優(yōu)點是結構新穎,保溫性能好,一次脫脂率高。
本實用新型公開了一種節(jié)能耐高溫高壓柔性電纜,包括鋁擠包軋紋護套層,鋁擠包軋紋護套層內填充有抗壓支撐件,抗壓支撐件呈若干且均勻排列在鋁擠包軋紋護套層上,鋁擠包軋紋護套層內表面設有云母帶繞包絕緣層,云母帶繞包絕緣層鋁擠包軋紋護套上,云母帶繞包絕緣層內設有防火材料結構層,防火材料結構層內設有內屏蔽層,內屏蔽層采用多層結構,內屏蔽層內設有鋁導體,鋁導體固定在內屏蔽層上。本節(jié)能耐高溫高壓柔性電纜層與層之間連接緊密、具有良好的水密性,同時防火性能強,避免在火災中發(fā)生爆炸的問題,另外抗干擾能力強,絕緣性良好,可更好的適用于鋼鐵、冶金等行業(yè)高溫惡劣環(huán)境中使用。
本發(fā)明公開了一種激光接近開關,屬于接近開關技術領域,是基于激光測距與測速的接近開關,采用單片機控制激光裝置和溫度補償電路的執(zhí)行,激光裝置產(chǎn)生激光發(fā)射和接收激光,測量與目標的距離與目標速度,感知測量目標的靠近,將激光信號轉換為電信號傳給單片機,同時溫度補償電路將溫差信號和溫度信號轉換為電信號傳給單片機,單片機根據(jù)接收到的電信號結合溫差溫度信號進行計算輸出控制命令,解決了在實際應用中測量計算數(shù)據(jù)時,易收環(huán)境中溫度和磁場等的干擾而導致誤差較大,控制不準確的問題,可應用于機床、冶金、化工、輕紡和印刷等行業(yè),在自動控制系統(tǒng)中可作為限位、計數(shù)、定位控制和自動保護環(huán)節(jié)等。
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